• 博斯腾湖流域潜在蒸散发时空演变及归因分析

    分类: 地球科学 >> 地理学 提交时间: 2019-01-11 合作期刊: 《干旱区地理》

    摘要: 本研究采用博斯腾湖流域1970—2014年的气象站点数据及Penman-Monteith公式计算潜在蒸散发(ET0),对比分析了流域山区和平原区ET0的时空变化及对主要气象因子的不同影响。结果表明:1)在年际尺度上,山区ET0在1970—2000年整体呈波动下降的趋势(P<0.01),2000年开始,ET0呈现略微上升的趋势;平原区ET0在1970—1993年间以-77 mm/10a的速率呈减小的趋势(P<0.01),1993年之后逆转为以83.8 mm/10a的速率呈上升趋势(P<0.01),平原区的变化明显强于山区。2)季节上呈现夏季为流域ET0最高的季节,是年变化的主要贡献者;而变化趋势则表现为平原区春季和夏季ET0大于山区,秋季和冬季略小于山区。3)ET0变化对净辐射和风速最为敏感,同时,山区净辐射和风速对ET0变化的贡献率最大,平原区影响ET0变化的主导因素是风速,风速对ET0的贡献率均超过50%。

  • 基于RClimDex 模型的近60 a 中亚极端降水事件变化特征

    分类: 地球科学 >> 地理学 提交时间: 2023-08-01 合作期刊: 《干旱区地理》

    摘要: 选取19602020年中亚126个气象站点逐日降水数据,基于RClimDex模型计算中亚8种极端降水指数,利用线性回归分析、Mann-Kendall法分析、相关性分析、小波变换和重标极差(R/S)分析,探究中亚极端降水事件特征。结果表明:(1) 近60 a中亚极端降水事件频率和强度均明显增加,表征降水强度(SDII)变化倾向率为0.02 mmd-1(10a) 1。极端降水量指数中,强降水量(R95p)、单日最大降水量(Rx1day)、连续5 d最大降水量(Rx5day)、年总降水量(PRCPTOT)的变化倾向率分别为1.93 mm(10a)-1、0.24 mm(10a)-1、0.66 mm(10a)-1和0.73 mm(10a)-1。在极端降水日指数中,中雨日数(R10)、持续干燥日数(CDD)、持续湿润日数(CWD)变化倾向率分别为0.02 d(10a)-1、-0.65 d(10a)-1和0.08 d(10a)-1。极端降水存在明显的空间差异性和高海拔依赖性,高原和山区附近极端降水事件频发。中亚极端降水周期特征为多峰谱型,具有准5 a短周期振荡、6~9 a中周期振荡和10~15 a长周期振荡。(2) 极端降水指数与年总降水量具有良好的相关性,CWD对年总降水的贡献最大;太平洋年代际振荡(PDO)和北大西洋年代际振荡(AMO)对极端降水事件具有明显正相关性。R/S分析表明该地区极端降水特征未来持续可能性较大。研究结果可为中亚极端气候预测、自然环境保护、防灾减灾工作等提供科学依据。

  • 脉冲磁化处理对M42 高速钢刀具组织和力学性能的影响

    分类: 材料科学 >> 材料科学(综合) 提交时间: 2023-03-19 合作期刊: 《金属学报》

    摘要: 对M42 高速钢刀具进行脉冲磁化处理, 考察脉冲磁场对组织和性能的影响, 分析了脉冲磁场改变微观组织以及力学性能作用机理. 运用TEM和激光共聚焦显微镜分析了脉冲磁场冲击前后高速钢位错组态、碳化物分布以及微观组织的变化. 研究表明, 高速钢经脉冲磁化处理后, 发生晶格畸变, 基体内析出大量弥散碳化物, 微观组织变细密, 晶粒细化. 微观组织的变化导致力学性能发生变化, 材料Rockwell 硬度与显微硬度均显著提高, Rockwell 硬度最大可以增加2.9 HRC. 基于位错理论分析了脉冲磁场作用下高速钢的强化机制, 磁场作用于位错的力足以克服位错线张力引起的阻力和晶格点阵引起的阻力, 从而使位错能以Orowan机制产生增殖、滑移, 致使位错密度增加.

  • 脉冲磁化处理对M42高速钢刀具组织和力学性能的影响

    分类: 材料科学 >> 材料科学(综合) 提交时间: 2016-11-04 合作期刊: 《金属学报》

    摘要: 对M42高速钢刀具进行脉冲磁化处理,考察脉冲磁场对材料组织和性能的影响,分析了脉冲磁场改变材料微观组织以及力学性能作用机理。运用透射电镜TEM和激光共聚焦显微镜分析了脉冲磁场冲击前后高速钢材料位错组态、碳化物分布以及微观组织的变化。研究表明,高速钢材料经脉冲磁化处理后,材料发生晶格畸变,基体内析出大量弥散碳化物,微观组织变细密,晶粒细化,微观组织的变化导致材料力学性能发生变化,材料Rockwell硬度与显微硬度均显著提高,Rockwell硬度最大可以增加2.9 HRC。基于位错理论分析了脉冲磁场作用下高速钢材料强化机制,磁场作用于位错的力足以克服位错线张力引起的阻力和晶格点阵引起的阻力,从而使位错能以Orowan机制产生增殖、滑移,致使材料位错密度增加。