双输出SiPM前置放大器设计与分析

分类： 核科学技术 >> 核探测技术与核电子学 提交时间： 2024-05-21

龙源 黄跃峰 侯会良 陈永忠

摘要： 为了适配闪烁体与硅光电倍增管（Silicon photomultiplier, SiPM）耦合探测器的不同应用场景，设计了基于OPA855芯片的跨阻放大器（Transimpedance Amplifier, TIA）和电压反馈放大器（Voltage Feedback Amplifier, VFB）。跨阻放大器的带宽为101MHz低于电压反馈放大器的381MHz，但其基线噪声 σnoise≅ 448.32μV优于电压反馈放大器的 σnoise≅ 680.96μV。实验结果表明：两类前置放大器均可提供高带宽和低输入噪声，并用于SiPM不同的输出模式。室温下，采用SiPM耦合掺铈钆铝镓石榴石（Cerium-doped Gadolinium Aluminum Gallium Garnet, GAGG(Ce)）探头对 241Am源进行信号测量，分析了SiPM标准输出脉冲和快输出脉冲的影响因素和适用场景。

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