分类: 数字出版 >> 新媒体 提交时间: 2023-10-08 合作期刊: 《中国传媒科技》
摘要: 媒体与人们的生活密切相关,媒体的传播形式和传播内容更会影响到人们的生活与生产方式。在新媒体时代,电视节目面临较大的冲击。为了提高电视节目的影响力,要充分吸取新媒体的优势,积极研究电视节目的发展与传播策略,将新媒体与传统媒体的优势有机结合,实现媒体资源交融与共赢。
分类: 计算机科学 >> 计算机应用技术 提交时间: 2017-03-10
摘要: 单颗粒冷冻电镜三维重构技术由于具有其他研究手段所不具备的优点,已经成为一种公认的研究生物大分子结构的强有力手段。然而,冷冻电镜显微图像的信噪比极低,要获得高分辨率的结果必须收集大量的图像数据,这使得冷冻电镜三维重构极其耗时。针对上述问题,本文详细介绍了单颗粒冷冻电镜三维重构的发展和现状,分析了当前所面临的主要挑战性问题,着重介绍了我们在单颗粒冷冻电镜三维重构相关研究工作上的进展。
分类: 材料科学 >> 纳米科学和纳米技术 提交时间: 2017-01-10
摘要: 采用低温 AlN 成核层在 Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备摘要:采用低温 AlN 成核层在 Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了 GaN 薄膜。采用高分辨 X 射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了 AlN成核层的厚度对 GaN 外延层的影响。对 AlN 的测试表明,AlN 的表面粗糙度随着厚度增加而变大。对 GaN 的测试表明,所有 GaN 样品在垂直方向处于压应变状态,并且随 AlN 厚度增加而略有减弱。GaN 的(0002) ω扫描的峰值半宽(FWHM)随着 AlN 成核层厚度增加而略有升高,GaN(10-12) ω扫描的峰值半宽随着厚度增加而有所下降。(10-12) ω扫描的峰值半宽与 GaN 的刃型穿透位错密度相关。说明 AlN 成核层的厚度较大时,会降低刃型穿透位错密度,并减弱 c 轴方向的压应变状态。
分类: 材料科学 >> 纳米科学和纳米技术 提交时间: 2017-01-10
摘要: 摘要:在 Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了 AlN 和GaN 薄膜。采用高分辨 X 射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN 缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对 GaN 外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明,相同生长时间内 AlN 的厚度随着 H2流量的增加而增加,即 H2流量增加会导致 AlN 的生长速率提高。原子力显微镜测试表明,随着 H2 流量的增加,AlN 表面粗糙度也呈上升趋势。对 GaN 的测试表明,随着 AlN 生长时的 H2流量增加,GaN 的(0002)和(10-12)的峰值半宽增加,即螺型穿透位错密度和刃型穿透位错密度增加。可能是由于 AlN 缓冲层厚度较大,导致 GaN 的晶体质量有所下降。实验表明,采用较低的 H2 流量生长 AlN 缓冲层可以控制 AlN 的生长速率,在一定程度上有助于提高 GaN 的晶体质量。