AlGaN/GaN HEMT漂移区动态电阻分析

作者： 于国浩 ^{中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所} 蔡勇王越赵德胜曾春红侯克玉董志华张宝顺
作者单位：

1. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
提交时间：2016-12-23 09:59:13

摘要: AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件，但在高电压动态使用时，存在导通电阻增加的现象[1,2]。目前可以有效降低动态导通电阻的方法有：场板结构[3,4]和AlN介质层[5]等。本论文采用叠层双栅结构AlGaN/GaN HEMT器件，该器件在栅电极之上新增加了一个通过介质层（Si3N4）与栅电极相隔离并可以单独加信号控制的顶栅。在动态下工作时,顶栅电极的脉冲输入信号与栅电极的脉冲输入信号同步。在器件关态时，顶栅电极加0V偏置；在器件开态时，顶栅电极加正电压。顶栅在器件开态下所加正电压越大，器件的动态导通电阻越小。

AlGaN/GaN HEMT 双栅结构电阻

来自： 王亦
分类： 材料科学 >> 纳米科学和纳米技术
引用： ChinaXiv:201612.00098 (或此版本 ChinaXiv:201612.00098V1)
DOI:10.12074/201612.00098V1
CSTR:32003.36.ChinaXiv.201612.00098.V1
推荐引用方式： 于国浩,蔡勇,王越,赵德胜,曾春红,侯克玉,董志华,张宝顺.(2016).AlGaN/GaN HEMT漂移区动态电阻分析.中国科学院科技论文预发布平台.[ChinaXiv:201612.00098] (点此复制)

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2016-12-23 09:59:13

ChinaXiv:201612.00098V1

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