铁磁半导体CrGeTe3的三临界行为研究

Tricritical behavior of the two-dimensional intrinsically ferromagnetic semiconductor CrGeTe3

作者： Lin, Gaoting ^{1Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences}
作者单位：

1. 1Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences

2. 2University of Science and Technology of China
提交时间：2017-10-27 10:14:44

摘要: CrGeTe3表现出2D铁磁半导体行为，这在自旋电子学器件应用方面有着很大的前景。我们知道CrSiTe3有着2D-Ising的磁特正，但CrGeTe3相比于它来说，表现出更小的范德瓦尔斯间隙和更大的单层解离能，这个可能诱发其从2D磁性为向3D过渡。为了验证这一设想，我们在铁磁相变温度附近对CrGeTe3进行了临界行为分析。我们发现CrGeTe3服从三临界平均场模型。由此我们得出CrGeTe3有着从2D磁性向3D磁性转变的特征。

磁 CrGeTe3 三临界行为

来自： 林高庭
分类： 物理学 >> 凝聚态:电子结构、电、磁和光学性质
引用： ChinaXiv:201711.00005 (或此版本 ChinaXiv:201711.00005V1)
DOI:10.12074/201711.00005V1
CSTR:32003.36.ChinaXiv.201711.00005.V1
推荐引用方式： Lin, Gaoting .(2017).铁磁半导体CrGeTe3的三临界行为研究.中国科学院科技论文预发布平台.[ChinaXiv:201711.00005] (点此复制)

版本历史

[V1]

2017-10-27 10:14:44

ChinaXiv:201711.00005V1

下载全文

相关论文推荐

1. Electromagnetic Fields of Moving Point Sources in the Vacuum	2024-05-22
2. TMSR熔盐泵实时异常监测系统设计与开发	2024-05-20
3. Non-perturbative corrections to the planetary perturbation equation	2024-05-16
4. 中国散裂中子源上的一种双束团数据解析方法	2024-05-10
5. 统计流体力学：湍流力学 I	2024-05-09
6. 重离子辐照CMOS图像传感器导致的永久损伤效应	2024-05-08
7. Ultra-low-noise transimpedance amplifier with a single HEMT in pre-amplifier for measuring shot noise in cryogenic STM	2024-05-06
8. Low-noise large-bandwidth high-gain transimpedance amplifier for cryogenic STM at 77 K	2024-05-06
9. IGFBP-3蛋白对重离子辐射损伤小鼠的防护作用研究	2024-05-06
10. 在同质异位素碰撞中通过双平面方法寻找手征磁效应	2024-04-15


公开评论匿名评论仅发给作者