分类: 物理学 >> 凝聚态:电子结构、电、磁和光学性质 提交时间: 2017-10-27
摘要: CrGeTe3表现出2D铁磁半导体行为,这在自旋电子学器件应用方面有着很大的前景。我们知道CrSiTe3有着2D-Ising的磁特正,但CrGeTe3相比于它来说,表现出更小的范德瓦尔斯间隙和更大的单层解离能,这个可能诱发其从2D磁性为向3D过渡。为了验证这一设想,我们在铁磁相变温度附近对CrGeTe3进行了临界行为分析。我们发现CrGeTe3服从三临界平均场模型。由此我们得出CrGeTe3有着从2D磁性向3D磁性转变的特征。